斷開狀態下電壓變化率dvD/dt。若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過VDRM，電容性內部電流能產生足夠大的門極電流，并觸發器件導通。門極靈敏度隨溫度而升高。假如發生這樣的問題，T1 和T2 間（或陽極和陰極間）應該加上RC 緩沖電路，以限制dvD/dt。

　　電流上升率的抑制：電流上升率的影響主要表現在以下兩個方面：

　　①dIT/dt（導通時的電流上升率）—當雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發下導通，門極臨近處立即導通，然后迅速擴展至整個有效面積。這遲后的時間有一個極限，即負載電流上升率的許可值。過高的dIT/dt可能導致局部燒毀，并使T1-T2 短路。假如過程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或導通時的dIT/dt有可能被超出，可在負載上串聯一個幾μH的不飽和（空心）電感。

　　②dICOM/dt (切換電流變化率) —導致高dICOM/dt值的因素是:高負載電流、高電網頻率（假設正弦波電流）或者非正弦波負載電流,它們引起的切換電流變化率超出最大的允許值，使雙向可控硅甚至不能支持50Hz 波形由零上升時不大的dV/dt，加入一幾mH的電感和負載串聯，可以限制dICOM/dt。

　　為了解決高dv/dt及di/dt引起的問題，還可以使用Hi-Com 雙向可控硅，它和傳統的雙向可控硅的內部結構有差別。差別之一是內部的二個“閘流管”分隔得更好，減少了互相的影響。這帶來下列好處：

　�、俑遜VCOM/dt。能控制電抗性負載，在很多場合下不需要緩沖電路，保證無故障切換。這降低了元器件數量、底板尺寸和成本，還免去了緩沖電路的功率耗散。

　�、诟遜ICOM/dt。切換高頻電流或非正弦波電流的性能大為改善，而不需要在負載上串聯電感，以限制dICOM/dt。

　�、鄹遜vD/dt（斷開狀態下電壓變化率）。雙向可控硅在高溫下更為靈敏。高溫下，處于截止狀態時，容易因高dV/dt下的假觸發而導通。Hi-Com雙向可控硅減少了這種傾向。從而可以用在高溫電器，控制電阻性負載，例如廚房和取暖電器，而傳統的雙向可控硅則不能用。

　　門極參數的選用：

　　門極觸發電流—為了使可控硅可靠觸發，觸發電流Igt選擇25度時max值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常α取大于1.5倍即可。

　　門極壓降—可以選擇Vgt 25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常β取1~1.2倍即可。

　　觸發電阻—Rg=（Vcc-Vgt）/Igt

　　觸發脈沖寬度—為了導通閘流管（或雙向可控硅），除了要門極電流≧IGT ，還要使負載電流達到≧IL（擎住電流），并按可能遇到的最低溫度考慮。因此，可取25度下可靠觸發可控硅的脈沖寬度Tgw的2倍以上。

　　在電子噪聲充斥的環境中，若干擾電壓超過觸發電壓VGT，并有足夠的門極電流，就會發生假觸發，導致雙向可控硅切換。第一條防線是降低臨近空間的雜波。門極接線越短越好，并確保門極驅動電路的共用返回線直接連接到TI 管腳（對閘流管是陰極）。若門極接線是硬線，可采用螺旋雙線，或干脆用屏蔽線，這些必要的措施都是為了降低雜波的吸收。為增加對電子噪聲的抵抗力，可在門極和T1 之間串入1kΩ或更小的電阻，以此降低門極的靈敏度。假如已采用高頻旁路電容，建議在該電容和門極間加入電阻，以降低通過門極的電容電流的峰值，減少雙向可控硅門極區域為過電流燒毀的可能。

　　結溫Tj的控制：為了長期可靠工作，應保證Rth j-a 足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax ,其值相應于可能的最高環境溫度。

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