通態（峰值）電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。 　

　　維持電流：IH是維持可控硅維持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。

　　電壓上升率的抵制：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容，如圖2所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端會出現等效電流，這個電流就會成為Ig，也就是出現了觸發電流，導致誤觸發。

圖2 雙向可控硅等效示意圖

　　切換電壓上升率dVCOM/dt。驅動高電抗性的負載時，負載電壓和電流的波形間通常發生實質性的相位移動。當負載電流過零時雙向可控硅發生切換，由于相位差電壓并不為零。這時雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過允許值，會迫使雙向可控硅回復導通狀態，因為載流子沒有充分的時間自結上撤出，如圖3所示。

圖3 切換時的電流及電壓變化

　　高dVCOM/dt承受能力受二個條件影響：

　　dICOM/dt—切換時負載電流下降率。dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力下降。

　　結面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVCOM/dt的允許值有可能被超過，為避免發生假觸發，可在T1 和T2 間裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，晶閘管關斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產生達正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。

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