2010年是我國半導體照明產業快速發展的一年，也是產業規模迅速擴大和產業環境明顯改善的一年。2010年，我國半導體照明完全擺脫了金融危機的影響，在國內產業政策和國際市場需求的雙重拉動下，我國成為全球半導體照明產業發展最快的區域，其中外延芯片和照明應用產品的發展最為突出。我國半導體照明開始進入一個快速發展的周期，預計未來3-5年內，我國半導體照明產業規模和產業格局將發生較大的改變，在國際半導體照明產業體系的地位和影響也將大大增強。

 
　　2010年，在芯片市場供貨偏緊和各地政策支持力度加大的背景下，我國外延芯片企業產能擴充迅速，MOCVD設備定貨量占到全球設備訂單的1/3。據統計，2010年我國已經到廠安裝的GaN MOCVD超過270臺，四元系MOCVD 30臺左右，MOCVD設備總數達到300臺。全國40多家外延芯片企業在未來3年的設備購進計劃超過1000臺。
 
　　2010年，我國芯片產值達到50億元，較2009年的23億實現倍增。2010年國產GaN芯片產能增加最為突出，較2009年增長150%，達到5600kk/月，實際年產量達到390億只，國產率也提升到了65%。國產芯片的性能得到較大提升，在顯示屏、景觀照明、信號燈等市場領域已經占據主流地位，在照明、中小尺寸背光等應用領域也逐步獲得認可。
 
　　2010年，我國LED封裝產值達到250億元，較2008年的204億元增長23%;產量則由2009年的1056億只增加到1335億只，其中高亮LED產值達到230億元，占LED總銷售額的90%以上。從產品和企業結構來看，SMD和大功率LED封裝增長較為明顯，成為LED封裝的主要擴產方向，但就總量來看，SMD所占比例相比臺灣地區仍然偏低。

　　2010年，我國半導體照明應用的增長非常突出，應用領域的整體規模達到900億元，整體增長率達到50%;其中，背光應用和通用照明應用的增長最為突出。基于LED在液晶電視等大尺寸背光領域展現強大的爆發力，LED背光行業高速增長，2010年我國LED背光產值的年增長率達到167%，其市場滲透率不斷攀升，LED背光液晶電視滲透率從2009年的2.3%上升到8.9%。隨著中國城鎮化進程的持續進行以及節能減排的迫切需求，LED照明產品的市場規模迅速擴大，2010年增長率達153%;LED等高效照明產品逐步替代白熾燈等低效照明產品已成為大勢所趨，通用照明將是未來最具潛力的應用領域，2011年有望成LED照明發展元年。此外，LED在顯示屏、景觀照明、信號、指示等應用方面也繼續保持了較高的增長速度。

　　2010年，我國LED產業政策逐步明朗、國家扶持力度逐步加大。4月，國家發改委、財政部、人民銀行、稅務總局四部委聯合發布《關于加快推行合同能源管理促進節能服務產業發展的意見》;10月國務院辦公廳正式發文《國務院關于加快培育和發展戰略性新興產業的決定》，半導體照明被列為七大戰略性新興產業的重要發展方向;國家發改委、住建部、交通運輸部聯合組織開展半導體照明產品應用示范工程，并于9月組織公開招標;科技部2010年9-12月陸續啟動了“十二五”半導體照明科技支撐計劃和863計劃，對全產業鏈的技術研發和檢測方法研究、測試平臺建設進行了全面部署;各地政府也針對半導體照明產業的發展制定了相關規劃并出臺相關政策，極大促進了我國LED照明產業的健康有序發展。
 
　　2010年，我國LED相關企業的資本運作加速，對產業的推動效果非常明顯。4家公司在中小板、創業板及香港上市，多家上市公司針對半導體照明項目進行了增發融資，10多家公司已經進入上市準備階段。2010年產業投資超過300億元，資本成為產業發展的重要推動力。

　　2010年，我國半導體照明標準檢測體系進一步完善，制定并公布了12項國標和10項行標，聯盟牽頭制定了8項產品技術規范;在檢測平臺的建設方面，我國已批準成立6家，3家國家級的半導體照明檢測平臺正在籌建;地方共建立了20多家檢測機構;2010年12月底，中國質量認證中心正式開始對半導體照明產品的節能認證工作。

　　由于半導體照明技術正處于快速發展階段，功能性照明產品尚未完全定型，缺乏規格化、標準化產品，同時LED的諸多特性不同于傳統照明光源和燈具，檢測方法和評價標準存在很大差異，我國半導體照明標準檢測認證體系的總體組織協調仍需進一步加強。
 
　　預計2011-2012年，半導體照明仍將保持較高的發展速度，未來兩年將成為中國半導體照明產業結構和格局調整完善的關鍵時期。期間，整個行業將進入一個機遇與挑戰并存的全新階段，巨大的產業發展機遇將伴隨著更為激烈的市場競爭和格局調整，行業洗牌、企業整合將在所難免。