2015年3月30日，工業和信息化部發布2015新版光伏制造行業規范條件。工信部稱：為深入落實《國務院關于促進光伏產業健康發展的若干意見》（國發〔2013〕24號），進一步推動光伏產業結構調整和轉型升級，持續加強行業管理，提高行業發展水平，經商有關部門，我們對《光伏制造行業規范條件》進行了修訂，形成了《光伏制造行業規范條件（2015年本）》。現予以公告。

附件：光伏制造行業規范條件（2015年本）
工業和信息化部
2015年3月25日

光伏制造行業規范條件（2015年本）

為加強光伏行業管理，引導產業加快轉型升級和結構調整，推動我國光伏產業持續健康發展，根據國家有關法律法規及《國務院關于促進光伏產業健康發展的若干意見》（國發[2013]24號），按照優化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持應用的原則，制定本規范條件。

一、生產布局與項目設立

（一）光伏制造企業及項目應符合國家資源開發利用、環境保護、節能管理等法律法規要求，符合國家產業政策和相關產業規劃及布局要求，符合當地土地利用總體規劃、城市總體規劃、環境功能區劃和環境保護規劃等要求。

（二）在國家法律法規、規章及規劃確定或省級以上人民政府批準的基本農田保護區、飲用水水源保護區、自然保護區、風景名勝區、重要生態功能保護區和生態環境敏感區、脆弱區等法律、法規規定禁止建設工業企業的區域不得建設光伏制造項目。上述區域內的現有企業應逐步遷出。

（三）嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目。對加強技術創新、降低生產成本等確有必要的新建和改擴建項目，報行業主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。

二、生產規模和工藝技術

（一）光伏制造企業應采用工藝先進、節能環保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備。

（二）光伏制造企業應具備以下條件：在中華人民共和國境內依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質，每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規范名單時上一年實際產量不低于本條第（三）款產能要求的50%。

（三）光伏制造企業按產品類型應分別滿足以下要求：

1.多晶硅項目每期規模不低于3000噸/年；

2.硅錠年產能不低于1000噸；

3.硅棒年產能不低于1000噸；

4.硅片年產能不低于5000萬片；

5.晶硅電池年產能不低于200MWp；

6.晶硅電池組件年產能不低于200MWp；

7.薄膜電池組件年產能不低于50MWp；

8.逆變器年產能不低于200MWp（微型逆變器不低于10MWp）。

（四）現有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；

2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于10和16PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于17%和18.5%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于15.5%和16%；

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、11%、11%、10%；

6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于96%，不含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于98%（微型逆變器相關指標分別不低于94%和95%）。

（五）新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；

2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18.5%和20%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。

（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內分別不高于2.5%和3%，25年內不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內不高于5%，25年內不高于20%。

三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節約集約用地。

（二）光伏制造項目能耗應滿足以下要求：

1.現有多晶硅項目還原電耗小于65千瓦時/千克，綜合電耗小于120千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于55千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；

2.現有硅錠項目平均綜合能耗小于8.5千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產準單晶或高效多晶產品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；

3.現有硅棒項目平均綜合能耗小于45千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于40千瓦時/千克；

4.現有多晶硅片項目平均綜合能耗小于45萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于40萬千瓦時/百萬片；現有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；

5.電池項目平均綜合能耗小于10萬千瓦時/MWp；

6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于6萬千瓦時/MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。

（三）光伏制造項目生產水耗應滿足以下要求：

1.多晶硅項目水循環利用率不低于95%；

2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；

3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。

（四）其他生產單耗需滿足國家相關標準。

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